Innovaciones Tecnológicas Producen Capacidad Tres Veces Mayor que Otras Tecnologías NAND
La tecnología 3D NAND usa celdasfloating gate y permite el desarrollo del dispositivo flash de más alta densidad que ya haya sido creado – con una capacidad tres veces mayor que otros chips NAND en el mercado.
Esta tecnología permite la existencia de SSDs de formatogumstick con más de 3,5 terabytes (TB) de almacenamiento y SSDs de tamaño estándar de 2,5 pulgadas con más de 10TB.
Las innovadoras técnicas de arquitectura de procesos expanden la Ley de Moore para el almacenamiento flash, y proporcionan importantes mejoras de densidad al mismo tiempo que disminuyen el costo de la memoria NAND flash.
Santo Domingo, marzo de 2015 – Micron Technology, Inc. e Intel han revelado hoy el lanzamiento de la tecnología 3D NAND, la memoria flash de mayor densidad del mundo. Flash es la tecnología de almacenamiento presente en de los laptops más ligeros, en los centros de datos más rápidos y en casi todos los celulares, tabletas y dispositivos móviles.
Esta nueva tecnología 3D NAND, que fue desarrollada en conjunto por Intel y Micron, apila capas de celdas de almacenamiento de datos de forma vertical con una precisión extraordinaria para crear dispositivos de almacenamiento con una capacidad tres veces mayor1 que la de las tecnologías NAND de la competencia. Esto proporciona mayor almacenamiento en un espacio más reducido, lo que genera una significativa disminución de costos, bajo uso energético y alto desempeño para una amplia gama de dispositivos móviles de consumo, así como para las más exigentes herramientas empresariales.
La memoria flash NAND planar se está acercando a sus límites prácticos de expansión, lo que constituye un gran desafío para el sector de memorias. La tecnología 3D NAND tiene la capacidad de generar un impacto significativo al mantener las soluciones de almacenamiento flash alineadas con la Ley de Moore, es decir, el camino seguido para obtener mayor desempeño y menores costos de forma continua, y así lograr un uso más generalizado del almacenamiento flash.
“La colaboración de Intel y Micron ha creado una tecnología de almacenamiento en estado sólido líder en sector, que ofrece densidad, rendimiento y eficiencia de altísimo nivel que ninguna otra memoria flash proporciona hoy en día”, declaró Brian Shirley, vicepresidente del área de tecnología y soluciones de memoria de Micron Technology. “Esta tecnología 3D NAND tiene el potencial de generar cambios sustanciales en el mercado. La profundidad del impacto que la memoria flash ha tenido hasta ahora – desde los smartphones hasta los supercomputadores optimizados por flash – es tan solo una muestra de nuestras posibilidades reales”.
“Las iniciativas de desarrollo de Intel junto a Micron reflejan nuestra compromiso continuo para ofrecer tecnologías de memoria no volátil innovadoras para el mercado”, afirmó Rob Crooke, vicepresidente senior y gerente general del grupo de soluciones de memoria no volátil de Intel Corporation. “Los enormes avances en materia de densidad y costos generados por la nueva innovación tecnológica 3D NAND van a acelerar el almacenamiento de estado sólido en plataformas computacionales”.
Innovadora Arquitectura de Procesos
Uno de los aspectos más relevantes de esta tecnología es la propia celda fundamental de memoria. Intel y Micron decidieron utilizar una celda floating gate, un diseño usado de forma generalizada que ha sido perfeccionado a lo largo de años de fabricación en masa de dispositivos flash planares. Esta es la primera vez que se utiliza una celda floating gate en la tecnología 3D NAND, que era una opción esencial de diseño para obtener mejor desempeño y aumentar la calidad y la confiabilidad.
La nueva tecnología 3D NAND apila celdas flash de forma vertical en 32 capas para obtener una celda multinivel (MLC, por sus siglas en inglés) de 256 Gb y un chip de celda de nivel triple (TLC, por sus siglas en inglés) de 384 Gb que cabe en un formato estándar. Estas propiedades producen SSDs de formatogumstick con más de 3,5 TB de almacenamiento y SSDs de tamaño estándar de 2,5 pulgadas con más de 10 TB. Como la capacidad se obtiene mediante la superposición de las celdas de forma vertical, las dimensiones de cada celda pueden ser considerablemente más grandes. Con esto se espera que aumente tanto el rendimiento como la resistencia, y que incluso los diseños TLC sean apropiados para el almacenamiento de centro de datos.
Las principales características de esta nueva tecnología 3D NAND incluyen:
Grandes Capacidades– capacidad tres veces mayor que la de la tecnología 3D existente1 – hasta 48 GB de NAND por chip – lo que permite que tres cuartos de terabyte quepan en un formato único del tamaño de la punta de un dedo.
Menor Costo por GB–la primera generación de la tecnología 3D NAND está diseñada para obtener mayor eficiencia de costos que la tecnología NAND planar.
Rapidez–ancho de banda para lectura/escritura, velocidades E/S y rendimiento de lectura aleatoria muy elevados.
Ecología– Nuevos modos de descanso que logran un bajo uso energético al interrumpir la alimentación eléctrica de los chips NAND (incluso cuando otros chips en el formato están activos), lo que disminuye el consumo energético de forma significativa en el modo de espera.
Inteligencia
La versión MLC de 256Gb de la tecnología 3D NAND está siendo testeada actualmente con colaboradores seleccionados, y la versión TLC de 348Gb será testeada en los próximos meses del primer semestre. La línea de producción de fábrica ya ha comenzado las pruebas iniciales, y ambos dispositivos entrarán en etapa de producción durante el cuarto trimestre de este año. Ambas empresas también están desarrollando líneas individuales de soluciones en SSD basadas en la tecnología 3D NAND, y esperan que dichos productos estén disponibles en el transcurso del próximo año.
